功率器件是广泛用于诸如电力传输，火车，汽车和电器的应用中的半导体器件。人们越来越要求它们以较低的能耗提供更高的效率。

预计SiC基器件将成为高能效解决方案的关键组件，并且需求正在迅速增长。然而，为了满足该需求并与Si基器件的成品率和可靠性竞争，必须进行材料改进。

住友电工凭借其多参数和区域（MPZ™* 1）控制技术以及30年的化合物半导体开发经验，成功开发出高质量的SiC外延晶片“ EpiEra™”，并进入了批量生产阶段。

EpiEra™已达到业界领先的99％无缺陷区域（DFA * 2），消除了表面缺陷* 3和基底平面错位（BPD * 4）。这提高了其质量稳定性和可靠性。

住友电工于2017年9月17日至22日在美国华盛顿特区举行的2017年国际碳化硅及相关材料（ICSCRM）会议上展示了该产品。

该公司通过开发具有更高效率和更低能耗的SiC器件，继续为基于SiC的电力电子行业做出贡献。

* 1多参数和区域控制SiC生长技术（MPZ）：

住友电工的SiC生长技术利用模拟和监视技术根据区域和时区调整各种参数。参数包括温度，压力，气体反应等。

* 2无缺陷区域（DFA）：

晶片表面上没有表面缺陷或基面错位（BPD）的区域。

* 3表面缺陷：

外延层表面的形态不规则。它影响器件良率。

* 4基底平面脱位（BPD）：

SiC单晶在基面上产生位错。它影响了设备的长期可靠性。